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TPH2010FNH,L1Q

Fabricants: Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: TPH2010FNH,L1Q
Description: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série U-MOSVIII-H
FET Type N-Channel
Emballage Cut Tape (CT)
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Discontinued at Digi-Key
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 198mOhm @ 2.8A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur 8-SOP Advance (5x5)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 250V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 5.6A (Ta)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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