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TPC8111(TE12L,Q,M)

Fabricants:	Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche:	TPC8111(TE12L,Q,M)
Description:	MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Statut RoHS:	Conforme à la RohS

Attribut	Valeur d’attribut
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
FET Type	P-Channel
Emballage	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction	-
Statut de la partie	Obsolete
Type de montage	Surface Mount
Paquet / Cas	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipation de puissance (Max)	1W (Ta)
Paquet d’appareils fournisseur	8-SOP (5.5x6.0)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	107nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5710pF @ 10V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C	11A (Ta)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V