Fabricants: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Fiche: | TK6A65D(STA4,Q,M) |
Description: | MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS |
Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
Attribut | Valeur d’attribut |
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Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | π-MOSVII |
FET Type | N-Channel |
Emballage | Tube |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet, fonction | - |
Statut de la partie | Active |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / Cas | TO-220-3 Full Pack |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.11Ohm @ 3A, 10V |
Dissipation de puissance (Max) | 45W (Tc) |
Paquet d’appareils fournisseur | TO-220SIS |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Drain à la tension de source (Vdss) | 650V |
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 25V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.57 | $1.54 | $1.51 |