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TK6A65D(STA4,Q,M)

Fabricants: Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: TK6A65D(STA4,Q,M)
Description: MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série π-MOSVII
FET Type N-Channel
Emballage Tube
Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.11Ohm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 45W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur TO-220SIS
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 6A (Ta)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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