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TK31A60W,S4VX

Fabricants: Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: TK31A60W,S4VX
Description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série DTMOSIV
FET Type N-Channel
Emballage Tube
Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction Super Junction
Statut de la partie Active
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 1.5mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 88mOhm @ 15.4A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 45W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur TO-220SIS
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 300V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 30.8A (Ta)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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