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TK17E80W,S1X

Fabricants: Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: TK17E80W,S1X
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série DTMOSIV
FET Type N-Channel
Emballage Tube
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 850µA
Température de fonctionnement 150°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 8.5A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 180W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur TO-220
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 800V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2050pF @ 300V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 17A (Ta)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 325 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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