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TK10E60W,S1VX
| Fabricants: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Fiche: | TK10E60W,S1VX |
| Description: | MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220 |
| Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
| Attribut | Valeur d’attribut |
|---|---|
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | DTMOSIV |
| FET Type | N-Channel |
| Emballage | Tube |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet, fonction | Super Junction |
| Statut de la partie | Active |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / Cas | TO-220-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 500µA |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 4.9A, 10V |
| Dissipation de puissance (Max) | 100W (Tc) |
| Paquet d’appareils fournisseur | TO-220 |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 600V |
| Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 300V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 9.7A (Ta) |
| Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
En stock 0 pcs
| Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $2.65 | $2.60 | $2.55 |
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