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TK040N65Z,S1F

Fabricants:	Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche:	TK040N65Z,S1F
Description:	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Statut RoHS:	Conforme à la RohS

Attribut	Valeur d’attribut
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	-
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction	-
Statut de la partie	Active
Type de montage	Through Hole
Paquet / Cas	TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 2.85mA
Température de fonctionnement	150°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40mOhm @ 28.5A, 10V
Dissipation de puissance (Max)	360W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur	TO-247
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	105nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss)	650V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6250pF @ 300V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C	57A (Ta)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On)	10V