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TJ10S04M3L(T6L1,NQ

Fabricants:	Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche:	TJ10S04M3L(T6L1,NQ
Description:	MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3
Statut RoHS:	Conforme à la RohS

Attribut	Valeur d’attribut
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série	U-MOSVI
FET Type	P-Channel
Emballage	Tape & Reel (TR)
Vgs (Max)	+10V, -20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction	-
Statut de la partie	Active
Type de montage	Surface Mount
Paquet / Cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	44mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (Max)	27W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur	DPAK+
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss)	40V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds	930pF @ 10V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V