Fabricants: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Fiche: | SSM6J512NU,LF |
Description: | MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B |
Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
Attribut | Valeur d’attribut |
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Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | U-MOSVII |
FET Type | P-Channel |
Emballage | Digi-Reel® |
Vgs (Max) | ±10V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet, fonction | - |
Statut de la partie | Active |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / Cas | 6-WDFN Exposed Pad |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.2mOhm @ 4A, 8V |
Dissipation de puissance (Max) | 1.25W (Ta) |
Paquet d’appareils fournisseur | 6-UDFNB (2x2) |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5nC @ 4.5V |
Drain à la tension de source (Vdss) | 12V |
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 6V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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