Fabricants: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Fiche: | SSM6J216FE,LF |
Description: | MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6 |
Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
Attribut | Valeur d’attribut |
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Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | U-MOSVI |
FET Type | P-Channel |
Emballage | Digi-Reel® |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet, fonction | - |
Statut de la partie | Active |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / Cas | SOT-563, SOT-666 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Température de fonctionnement | 150°C |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Dissipation de puissance (Max) | 700mW (Ta) |
Paquet d’appareils fournisseur | ES6 |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12.7nC @ 4.5V |
Drain à la tension de source (Vdss) | 12V |
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1040pF @ 12V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 4.8A (Ta) |
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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