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RN4987FE,LF(CT

Fabricants: Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Fiche: RN4987FE,LF(CT
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Emballage Digi-Reel®
Statut de la partie Active
Puissance - Max 100mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas SOT-563, SOT-666
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Résistance - Base (R1) 10kOhms
Fréquence - Transition 250MHz, 200MHz
Paquet d’appareils fournisseur ES6
Résistance - Base d’émetteur (R2) 47kOhms
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Courant - Seuil de collection (Max) 500nA
Gain courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 50V

En stock 27595 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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