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RN1911(T5L,F,T)

Fabricants: Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Fiche: RN1911(T5L,F,T)
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Emballage Digi-Reel®
Statut de la partie Discontinued at Digi-Key
Puissance - Max 100mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Résistance - Base (R1) 4.7kOhms
Fréquence - Transition 250MHz
Paquet d’appareils fournisseur US6
Résistance - Base d’émetteur (R2) -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Courant - Seuil de collection (Max) 100nA (ICBO)
Gain courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 50V

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