Fabricants: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Catégorie de produits: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Fiche: | RN1904FE,LF(CT |
Description: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
Attribut | Valeur d’attribut |
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Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
Catégorie de produits | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Série | - |
Emballage | Digi-Reel® |
Statut de la partie | Active |
Puissance - Max | 100mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / Cas | SOT-563, SOT-666 |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Résistance - Base (R1) | 47kOhms |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Paquet d’appareils fournisseur | ES6 |
Résistance - Base d’émetteur (R2) | 47kOhms |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Courant - Seuil de collection (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) | 50V |
Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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