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RN1901FETE85LF
| Fabricants: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Catégorie de produits: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Fiche: | RN1901FETE85LF |
| Description: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
| Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
| Attribut | Valeur d’attribut |
|---|---|
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Catégorie de produits | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
| Série | - |
| Emballage | Digi-Reel® |
| Statut de la partie | Active |
| Puissance - Max | 100mW |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / Cas | SOT-563, SOT-666 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Résistance - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Fréquence - Transition | 250MHz |
| Paquet d’appareils fournisseur | ES6 |
| Résistance - Base d’émetteur (R2) | 4.7kOhms |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
| Courant - Seuil de collection (Max) | 100nA (ICBO) |
| Gain courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) | 50V |
En stock 4000 pcs
| Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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