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RN1116MFV,L3F
| Fabricants: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Catégorie de produits: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Fiche: | RN1116MFV,L3F |
| Description: | X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M |
| Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
| Attribut | Valeur d’attribut |
|---|---|
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Catégorie de produits | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Série | - |
| Statut de la partie | Active |
| Puissance - Max | 150mW |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / Cas | SOT-723 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Fréquence - Transition | 250MHz |
| Paquet d’appareils fournisseur | VESM |
| Résistance - Base d’émetteur (R2) | 10 kOhms |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
| Courant - Seuil de collection (Max) | 500nA |
| Gain courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) | 50V |
En stock 0 pcs
| Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.03 | $0.03 | $0.03 |
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