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MT3S111TU,LF
| Fabricants: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Catégorie de produits: | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| Fiche: | MT3S111TU,LF |
| Description: | RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N |
| Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
| Attribut | Valeur d’attribut |
|---|---|
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Catégorie de produits | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| Gain | 12.5dB |
| Série | - |
| Emballage | Digi-Reel® |
| Statut de la partie | Active |
| Puissance - Max | 800mW |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / Cas | 3-SMD, Flat Leads |
| Transistor Type | NPN |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Fréquence - Transition | 10GHz |
| Paquet d’appareils fournisseur | UFM |
| Figure de bruit (dB Typ @ f) | 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
| Gain courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) | 6V |
En stock 0 pcs
| Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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