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HN4B01JE(TE85L,F)

Fabricants: Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Fiche: HN4B01JE(TE85L,F)
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Série -
Emballage Digi-Reel®
Statut de la partie Active
Puissance - Max 100mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas SOT-553
Transistor Type NPN, PNP (Emitter Coupled)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Fréquence - Transition 80MHz
Paquet d’appareils fournisseur ESV
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 150mA
Courant - Seuil de collection (Max) 100nA (ICBO)
Gain courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 10MA, 100MA
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 50V

En stock 435 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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