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HN1B01FU-Y(L,F,T)

Fabricants: Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Fiche: HN1B01FU-Y(L,F,T)
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Série -
Emballage Digi-Reel®
Statut de la partie Discontinued at Digi-Key
Puissance - Max 200mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistor Type NPN, PNP
Température de fonctionnement 125°C (TJ)
Fréquence - Transition 120MHz
Paquet d’appareils fournisseur US6
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 150mA
Courant - Seuil de collection (Max) 100nA (ICBO)
Gain courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 50V

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