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HN1B01F-GR(TE85L,F

Fabricants: Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Fiche: HN1B01F-GR(TE85L,F
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Série -
Emballage Digi-Reel®
Statut de la partie Discontinued at Digi-Key
Puissance - Max 300mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas SC-74, SOT-457
Transistor Type NPN, PNP
Température de fonctionnement 125°C (TJ)
Fréquence - Transition 120MHz
Paquet d’appareils fournisseur SM6
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 150mA
Courant - Seuil de collection (Max) 100nA (ICBO)
Gain courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 50V

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