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2SK3309(Q)

Fabricants: Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: 2SK3309(Q)
Description: MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
FET Type N-Channel
Emballage Tube
Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Obsolete
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-220-3, Short Tab
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 65W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur TO-220FL
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 450V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 10V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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