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2SJ380(F)

Fabricants: Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: 2SJ380(F)
Description: MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
FET Type P-Channel
Emballage Tube
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Obsolete
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 35W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur TO-220NIS
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 10V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V

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