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2SC2235-Y,T6KEHF(M

Fabricants: Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Fiche: 2SC2235-Y,T6KEHF(M
Description: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Emballage Bulk
Statut de la partie Obsolete
Puissance - Max 900mW
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Transistor Type NPN
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Fréquence - Transition 120MHz
Paquet d’appareils fournisseur TO-92MOD
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 800mA
Courant - Seuil de collection (Max) 100nA (ICBO)
Gain courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 100mA, 5V
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 120V

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