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2SA1955FVBTPL3Z

Fabricants: Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Fiche: 2SA1955FVBTPL3Z
Description: TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie de produits Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Série -
Emballage Digi-Reel®
Statut de la partie Obsolete
Puissance - Max 100mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas SOT-723
Transistor Type PNP
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Fréquence - Transition 130MHz
Paquet d’appareils fournisseur VESM
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 200mA
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 400mA
Courant - Seuil de collection (Max) 100nA (ICBO)
Gain courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 10mA, 2V
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 12V

En stock 10815 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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