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TC58BYG1S3HBAI4

Fabricants: Toshiba Memory
Catégorie de produits: USB Flash Drives
Fiche: TC58BYG1S3HBAI4
Description: NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Rohs Details
Marque Toshiba Memory
Vitesse 25 ns
Produit NAND Flash
Emballage Tray
Taille de mémoire 2 Gbit
Type de mémoire NAND
Sous-catégorie Memory & Data Storage
Type de synchronisation Synchronous
Architecture Block Erase
Fabricant Toshiba
Organisation 256 M x 8
Type de produit NAND Flash
Largeur du bus de données 8 bit
Type d’interface Parallel
Style de montage SMD/SMT
Paquet / Cas TFBGA-63
Catégorie de produits NAND Flash
Sensible à l’humidité Yes
Courant d’approvisionnement - Max 30 mA
Tension d’approvisionnement - Max 1.95 V
Tension d’approvisionnement - Min 1.7 V
Quantité de pack d’usine 210
Fréquence maximale de l’horloge -
Température maximale de fonctionnement + 85 C
Température de fonctionnement minimale - 40 C

En stock 210 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.52 $3.45 $3.38

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