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TH58BYG2S3HBAI6
| Fabricants: | Toshiba Memory America, Inc. |
|---|---|
| Catégorie de produits: | Memory |
| Fiche: | TH58BYG2S3HBAI6 |
| Description: | IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA |
| Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
| Attribut | Valeur d’attribut |
|---|---|
| Fabricant | Toshiba Memory America, Inc. |
| Catégorie de produits | Memory |
| Série | Benand™ |
| Emballage | Tray |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Heure d’accès | 25ns |
| Taille de mémoire | 4Gb (512M x 8) |
| Type de mémoire | Non-Volatile |
| Statut de la partie | Active |
| Format de mémoire | FLASH |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / Cas | 67-VFBGA |
| Interface mémoire | Parallel |
| Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Paquet d’appareils fournisseur | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Temps de cycle d’écriture - Mot, Page | 25ns |
En stock 338 pcs
| Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $5.13 | $5.03 | $4.93 |
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