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TC58NYG2S0HBAI4
| Fabricants: | Toshiba Memory America, Inc. |
|---|---|
| Catégorie de produits: | Memory |
| Fiche: | TC58NYG2S0HBAI4 |
| Description: | 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V |
| Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
| Attribut | Valeur d’attribut |
|---|---|
| Fabricant | Toshiba Memory America, Inc. |
| Catégorie de produits | Memory |
| Série | - |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Taille de mémoire | 4Gb (512M x 8) |
| Type de mémoire | Non-Volatile |
| Statut de la partie | Active |
| Format de mémoire | FLASH |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / Cas | 63-VFBGA |
| Interface mémoire | - |
| Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Paquet d’appareils fournisseur | 63-TFBGA (9x11) |
| Temps de cycle d’écriture - Mot, Page | 25ns |
En stock 180 pcs
| Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $6.16 | $6.04 | $5.92 |
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