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CSD25213W10
| Fabricants: | Texas Instruments |
|---|---|
| Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Fiche: | CSD25213W10 |
| Description: | MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA |
| Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
| Attribut | Valeur d’attribut |
|---|---|
| Fabricant | Texas Instruments |
| Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | NexFET™ |
| FET Type | P-Channel |
| Emballage | Digi-Reel® |
| Vgs (Max) | -6V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet, fonction | - |
| Statut de la partie | Active |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / Cas | 4-UFBGA, DSBGA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 1A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (Max) | 1W (Ta) |
| Paquet d’appareils fournisseur | 4-DSBGA (1x1) |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 4.5V |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 478pF @ 10V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) |
| Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
En stock 19925 pcs
| Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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