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TSM60N1R4CH C5G

Fabricants: Taiwan Semiconductor Corporation
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: TSM60N1R4CH C5G
Description: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
FET Type N-Channel
Emballage Tube
Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Not For New Designs
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 38W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur TO-251 (IPAK)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 370pF @ 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 3.3A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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