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TSM4NB60CH X0G

Fabricants: Taiwan Semiconductor Corporation
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: TSM4NB60CH X0G
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
FET Type N-Channel
Emballage Tube
Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 50W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur TO-251 (IPAK)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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