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TSM120NA03CR RLG

Fabricants: Taiwan Semiconductor Corporation
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: TSM120NA03CR RLG
Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
FET Type N-Channel
Emballage Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.7mOhm @ 11A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 33W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur 8-PDFN (5x6)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.2nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 562pF @ 15V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 39A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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