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SCTW90N65G2V
| Fabricants: | STMicroelectronics |
|---|---|
| Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Fiche: | SCTW90N65G2V |
| Description: | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 |
| Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
| Attribut | Valeur d’attribut |
|---|---|
| Fabricant | STMicroelectronics |
| Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | - |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Fet, fonction | - |
| Statut de la partie | Active |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / Cas | TO-247-3 |
| Numéro de pièce de base | SCTW90 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 50A, 18V |
| Dissipation de puissance (Max) | 390W (Tc) |
| Paquet d’appareils fournisseur | HiP247™ |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 157nC @ 18V |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 650V |
| Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3300pF @ 400V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
En stock 0 pcs
| Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $51.98 | $50.94 | $49.92 |
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