Fabricants: | Renesas Electronics America |
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Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Fiche: | RJK2009DPM-00#T0 |
Description: | MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM |
Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
Attribut | Valeur d’attribut |
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Fabricant | Renesas Electronics America |
Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | - |
FET Type | N-Channel |
Emballage | Tube |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet, fonction | - |
Statut de la partie | Active |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / Cas | TO-3PFM, SC-93-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Température de fonctionnement | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 20A, 10V |
Dissipation de puissance (Max) | 60W (Tc) |
Paquet d’appareils fournisseur | TO-3PFM |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Drain à la tension de source (Vdss) | 200V |
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 25V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 40A (Ta) |
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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