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RJK2009DPM-00#T0

Fabricants: Renesas Electronics America
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: RJK2009DPM-00#T0
Description: MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Renesas Electronics America
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
FET Type N-Channel
Emballage Tube
Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-3PFM, SC-93-3
Vgs(th) (Max) @ Id -
Température de fonctionnement -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 60W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur TO-3PFM
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2900pF @ 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 40A (Ta)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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