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RS1E200BNTB

Fabricants: ROHM Semiconductor
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: RS1E200BNTB
Description: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant ROHM Semiconductor
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
FET Type N-Channel
Emballage Cut Tape (CT)
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 3W (Ta), 25W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur 8-HSOP
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 15V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 20A (Ta)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 557 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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