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RQ3E180GNTB

Fabricants: ROHM Semiconductor
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: RQ3E180GNTB
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant ROHM Semiconductor
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
FET Type N-Channel
Emballage Digi-Reel®
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 18A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 2W (Ta)
Paquet d’appareils fournisseur 8-HSMT (3.2x3)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 22.4nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1520pF @ 15V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 18A (Ta)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

En stock 2965 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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