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RQ3E080BNTB
| Fabricants: | ROHM Semiconductor |
|---|---|
| Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Fiche: | RQ3E080BNTB |
| Description: | MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8 |
| Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
| Attribut | Valeur d’attribut |
|---|---|
| Fabricant | ROHM Semiconductor |
| Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Série | - |
| FET Type | N-Channel |
| Emballage | Digi-Reel® |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet, fonction | - |
| Statut de la partie | Active |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / Cas | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.2mOhm @ 8A, 10V |
| Dissipation de puissance (Max) | 2W (Ta) |
| Paquet d’appareils fournisseur | 8-HSMT (3.2x3) |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14.5nC @ 10V |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
| Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 15V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
En stock 3065 pcs
| Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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