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RDN080N25FU6

Fabricants: ROHM Semiconductor
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: RDN080N25FU6
Description: MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant ROHM Semiconductor
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
FET Type N-Channel
Emballage Bulk
Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Obsolete
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 35W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur TO-220FN
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 250V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 543pF @ 10V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 8A (Ta)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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