L’image est uniquement à référence , Voir spécifications du produit

R6035ENZ1C9

Fabricants: ROHM Semiconductor
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: R6035ENZ1C9
Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant ROHM Semiconductor
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série -
FET Type N-Channel
Emballage Tube
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 102mOhm @ 18.1A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 120W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur TO-247
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2720pF @ 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

En stock 258 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.33 $5.22 $5.12

Devis de demande

Remplissez le formulaire ci-dessous et nous vous contacterons dès que possible

Trouver des bonnes affaires

IPP60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
$5.12
IXFA34N65X2
IXYS
$5.14
STF20N65M5
STMicroelectronics
$4.87
STF15N80K5
STMicroelectronics
$4.87
IPW60R165CPFKSA1
Infineon Technologies
$4.83
STP15N95K5
STMicroelectronics
$4.81