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EMG9T2R

Fabricants: ROHM Semiconductor
Catégorie de produits: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Fiche: EMG9T2R
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant ROHM Semiconductor
Catégorie de produits Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Emballage Digi-Reel®
Statut de la partie Discontinued at Digi-Key
Puissance - Max 150mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Numéro de pièce de base *MG9
Résistance - Base (R1) 10kOhms
Fréquence - Transition 250MHz
Paquet d’appareils fournisseur EMT5
Résistance - Base d’émetteur (R2) 10kOhms
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Courant - Seuil de collection (Max) 500nA
Gain courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 50V

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