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EMF24T2R

Fabricants: ROHM Semiconductor
Catégorie de produits: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Fiche: EMF24T2R
Description: TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant ROHM Semiconductor
Catégorie de produits Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Emballage Tape & Reel (TR)
Statut de la partie Not For New Designs
Puissance - Max 150mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas SOT-563, SOT-666
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Résistance - Base (R1) 10kOhms
Fréquence - Transition 250MHz, 180MHz
Paquet d’appareils fournisseur EMT6
Résistance - Base d’émetteur (R2) 10kOhms
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA, 150mA
Courant - Seuil de collection (Max) 500nA
Gain courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 50V

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