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NSBC123JDP6T5G

Fabricants: ON Semiconductor
Catégorie de produits: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Fiche: NSBC123JDP6T5G
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant ON Semiconductor
Catégorie de produits Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Emballage Tape & Reel (TR)
Statut de la partie Active
Puissance - Max 339mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas SOT-963
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Numéro de pièce de base NSBC1*
Résistance - Base (R1) 2.2kOhms
Fréquence - Transition -
Paquet d’appareils fournisseur SOT-963
Résistance - Base d’émetteur (R2) 47kOhms
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Courant - Seuil de collection (Max) 500nA
Gain courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 50V

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