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NGTD30T120F2WP

Fabricants: ON Semiconductor
Catégorie de produits: Transistors - IGBTs - Single
Fiche: NGTD30T120F2WP
Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant ON Semiconductor
Catégorie de produits Transistors - IGBTs - Single
Série -
IGBT Type Trench Field Stop
Emballage Bulk
Type d’entrée Standard
Statut de la partie Active
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas Die
Condition d’essai -
Commutation de l’énergie -
Td (on/off) @ 25°C -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Paquet d’appareils fournisseur Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 200A
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 1200V

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Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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