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MUN5231DW1T1G

Fabricants: ON Semiconductor
Catégorie de produits: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Fiche: MUN5231DW1T1G
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant ON Semiconductor
Catégorie de produits Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Emballage Tape & Reel (TR)
Statut de la partie Obsolete
Puissance - Max 250mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Numéro de pièce de base MUN52**DW1T
Résistance - Base (R1) 2.2kOhms
Fréquence - Transition -
Paquet d’appareils fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363
Résistance - Base d’émetteur (R2) 2.2kOhms
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Courant - Seuil de collection (Max) 500nA
Gain courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 50V

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