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HGTP3N60A4D

Fabricants: ON Semiconductor
Catégorie de produits: Transistors - IGBTs - Single
Fiche: HGTP3N60A4D
Description: IGBT 600V 17A 70W TO220AB
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant ON Semiconductor
Catégorie de produits Transistors - IGBTs - Single
Série -
IGBT Type -
Emballage Tube
Type d’entrée Standard
Charge de porte 21nC
Statut de la partie Not For New Designs
Puissance - Max 70W
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-220-3
Condition d’essai 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Commutation de l’énergie 37µJ (on), 25µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 6ns/73ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquet d’appareils fournisseur TO-220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 3A
Temps de récupération inversée (trr) 29ns
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 17A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 40A
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 600V

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