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H11G2TVM

Fabricants: ON Semiconductor
Catégorie de produits: Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Fiche: H11G2TVM
Description: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant ON Semiconductor
Catégorie de produits Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
Série -
Emballage Tube
Type d’entrée DC
Type de sortie Darlington with Base
Statut de la partie Active
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas 6-DIP (0.400", 10.16mm)
Nombre de canaux 1
Tension - Isolation 4170Vrms
Saturation Vce (Max) 1V
Température de fonctionnement -40°C ~ 100°C
Rise / Temps d’automne (Typ) -
Tension - Sortie (Max) 80V
Paquet d’appareils fournisseur 6-DIP
Courant - Sortie / Canal -
Ratio de transfert actuel (Max) -
Ratio de transfert actuel (Min) 1000% @ 10mA
Tension - Avant (Vf) (Typ) 1.3V
Activer / Désactiver l’heure (Typ) 5µs, 100µs
Courant - Dc Forward (If) (Max) 60mA

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