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FJV4104RMTF

Fabricants: ON Semiconductor
Catégorie de produits: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Fiche: FJV4104RMTF
Description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant ON Semiconductor
Catégorie de produits Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Série -
Emballage Digi-Reel®
Statut de la partie Obsolete
Puissance - Max 200mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Numéro de pièce de base FJV4104
Résistance - Base (R1) 47 kOhms
Fréquence - Transition 200MHz
Paquet d’appareils fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Résistance - Base d’émetteur (R2) 47 kOhms
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Courant - Seuil de collection (Max) 100nA (ICBO)
Gain courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 50V

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