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FGD3N60UNDF

Fabricants: ON Semiconductor
Catégorie de produits: Transistors - IGBTs - Single
Fiche: FGD3N60UNDF
Description: IGBT 600V 6A 60W DPAK
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant ON Semiconductor
Catégorie de produits Transistors - IGBTs - Single
Série -
IGBT Type NPT
Emballage Digi-Reel®
Type d’entrée Standard
Charge de porte 1.6nC
Statut de la partie Active
Puissance - Max 60W
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Condition d’essai 400V, 3A, 10Ohm, 15V
Numéro de pièce de base FGD3N60
Commutation de l’énergie 52µJ (on), 30µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 5.5ns/22ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquet d’appareils fournisseur TO-252, (D-Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.52V @ 15V, 3A
Temps de récupération inversée (trr) 21ns
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 6A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 9A
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 600V

En stock 1900 pcs

Prix de la refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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