Fabricants: | ON Semiconductor |
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Catégorie de produits: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Fiche: | FDP4D5N10C |
Description: | FET ENGR DEV-NOT REL |
Statut RoHS: | Conforme à la RohS |
Attribut | Valeur d’attribut |
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Fabricant | ON Semiconductor |
Catégorie de produits | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Série | PowerTrench® |
FET Type | N-Channel |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet, fonction | - |
Statut de la partie | Active |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / Cas | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 310µA |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 100A, 10V |
Dissipation de puissance (Max) | 2.4W (Ta), 150W (Tc) |
Paquet d’appareils fournisseur | TO-220-3 |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5065pF @ 50V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 128A (Tc) |
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Prix de la refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$3.81 | $3.73 | $3.66 |