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FDP4D5N10C

Fabricants: ON Semiconductor
Catégorie de produits: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Fiche: FDP4D5N10C
Description: FET ENGR DEV-NOT REL
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant ON Semiconductor
Catégorie de produits Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Série PowerTrench®
FET Type N-Channel
Vgs (Max) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Fet, fonction -
Statut de la partie Active
Type de montage Through Hole
Paquet / Cas TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 310µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (Max) 2.4W (Ta), 150W (Tc)
Paquet d’appareils fournisseur TO-220-3
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Capacité d’entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5065pF @ 50V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 128A (Tc)
Tension de lecteur (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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