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EMF5XV6T5G

Fabricants: ON Semiconductor
Catégorie de produits: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Fiche: EMF5XV6T5G
Description: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant ON Semiconductor
Catégorie de produits Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Emballage Tape & Reel (TR)
Statut de la partie Active
Puissance - Max 500mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas SOT-563, SOT-666
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Numéro de pièce de base EMF
Résistance - Base (R1) 47kOhms
Fréquence - Transition -
Paquet d’appareils fournisseur SOT-563
Résistance - Base d’émetteur (R2) 47kOhms
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA, 500mA
Courant - Seuil de collection (Max) 500nA
Gain courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 50V, 12V

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