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PEMH1,115

Fabricants: Nexperia USA Inc.
Catégorie de produits: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Fiche: PEMH1,115
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Nexperia USA Inc.
Catégorie de produits Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Série -
Emballage Tape & Reel (TR)
Statut de la partie Active
Puissance - Max 300mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas SOT-563, SOT-666
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Numéro de pièce de base P*MH1
Résistance - Base (R1) 22kOhms
Fréquence - Transition -
Paquet d’appareils fournisseur SOT-666
Résistance - Base d’émetteur (R2) 22kOhms
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Courant - Seuil de collection (Max) 1µA
Gain courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 5V
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 50V

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