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PDTA123ET,215

Fabricants: Nexperia USA Inc.
Catégorie de produits: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Fiche: PDTA123ET,215
Description: TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
Statut RoHS: Conforme à la RohS
Attribut Valeur d’attribut
Fabricant Nexperia USA Inc.
Catégorie de produits Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Série -
Emballage Tape & Reel (TR)
Statut de la partie Active
Puissance - Max 250mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / Cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Numéro de pièce de base PDTA123
Résistance - Base (R1) 2.2 kOhms
Paquet d’appareils fournisseur TO-236AB
Résistance - Base d’émetteur (R2) 2.2 kOhms
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Courant - Seuil de collection (Max) 100nA (ICBO)
Gain courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V
Tension - Ventilation de l’émetteur collecteur (Max) 50V

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